Cơ chế hình thành màng PECVD
May 08, 2024| Cơ chế hình thành màng PECVD
• Màng cách nhiệt SiNx: Hỗn hợp SiH4, N2, NH3 được sử dụng làm khí phản ứng, màng được hình thành trên nền bằng quá trình phóng điện phát sáng tạo ra plasma.
• Si:H: Khí SiH4 được thải ra do sự phát sáng trong buồng phản ứng, sau một loạt phản ứng sơ cấp và thứ cấp, các sản phẩm phản ứng phức tạp hơn như ion và nhóm hoạt tính con được tạo ra và cuối cùng là màng A-Si :H được tạo ra và lắng đọng trên chất nền. Một số sản phẩm trung tính, chẳng hạn như SiHn(n:0~3), có liên quan trực tiếp đến quá trình hình thành màng.
Khi màng đang phát triển, nếu thực hiện quá trình tạo màng đầu tiên, các khuyết tật trong quá trình tạo màng sẽ tiếp tục phát triển theo hướng tạo màng, do đó làm lộ ra bề mặt.
Đồng thời, do các khuyết tật của quá trình tạo màng tốc độ thấp ít hơn so với các khiếm khuyết của quá trình tạo màng tốc độ cao, nên để thu được màng A-Si :H dày đặc (giả sử 2000 A) trong cơ chế Cổng đáy, có thể đạt được bằng cách đầu tiên tăng 300A ở tốc độ thấp và sau đó là 1700 A ở tốc độ cao. Trong đó 300 A là kênh TFT (một số lỗi do bước đầu tiên gây ra sẽ được khắc phục ở bước thứ hai). Phương pháp tạo màng hai bước cũng có thể được sử dụng để sản xuất các lớp cách điện.
Công ty IKS PVD, máy phủ trang trí, máy phủ dụng cụ, máy phủ DLC, máy phủ quang học, dây chuyền sơn chân không PVD, dự án chìa khóa trao tay đều có sẵn. Hãy liên hệ với chúng tôi ngay bây giờ, E-mail: iks.pvd@foxmail.com