Lắng đọng phún xạ PVD

lắng đọng phún xạ

Nguyên tắc: Trong buồng chân không, khí trơ (chẳng hạn như Ar) bị ion hóa bởi-điện trường cao áp để tạo ra plasma. Các ion Ar⁺ tích điện dương, dưới sự gia tốc của điện trường, bắn phá bề mặt vật liệu mục tiêu. Thông qua việc truyền động lượng, các nguyên tử vật liệu mục tiêu được "phun ra" (ở trạng thái khí) và sau đó lắng đọng trên bề mặt chất nền để tạo thành một lớp màng. Ưu điểm cốt lõi: Độ bám dính mạnh giữa màng và chất nền, độ đồng đều cao của thành phần (gần với thành phần của vật liệu mục tiêu) và nhiều loại vật liệu có thể lắng đọng (kim loại, hợp kim, gốm sứ, hợp chất, v.v.). Các công nghệ phổ biến Phép phún xạ Magnetron (Phán xạ magnetron) là công nghệ phún xạ được sử dụng rộng rãi nhất trong chất bán dẫn. Bằng cách hạn chế quỹ đạo chuyển động của các electron trong từ trường, nó kéo dài thời gian va chạm giữa electron và khí, tăng mật độ plasma, từ đó nâng cao hiệu suất phún xạ và tốc độ lắng đọng màng mỏng, đồng thời giảm sự tăng nhiệt độ của chất nền. Thích hợp cho các chất nền bán dẫn nhạy cảm với nhiệt-(chẳng hạn như tấm silicon).

Công ty IKS PVD cung cấp máy phủ trang trí, máy phủ công cụ, máy phủ DLC, máy phủ quang học và dây chuyền phủ chân không PVD, cùng với các dự án chìa khóa trao tay-có sẵn. Hãy liên hệ với chúng tôi ngay bây giờ, E-mail: iks.pvd@foxmail.com