Đặc điểm lắng đọng của mục tiêu nguyên tố và mục tiêu hợp kim

Đặc điểm lắng đọng của mục tiêu nguyên tố và mục tiêu hợp kim

Các lớp phủ bậc bốn (Cr,Ti,Al)N có thể được chuẩn bị bằng cách phún xạ đồng thời nhiều mục tiêu nguyên tố hoặc bằng cách phún xạ trực tiếp các mục tiêu hợp kim đa thành phần. Ưu điểm của nhiều lớp phủ nguyên tố được lắng đọng (Cr, Ti, Al) N bằng phương pháp đồng phún xạ là mỗi mục tiêu độc lập với nhau và hàm lượng các nguyên tố kim loại Cr, Ti và Al trong lớp phủ có thể được kiểm soát độc lập bởi dòng điện mục tiêu hoặc công suất mục tiêu [21], nhờ đó thu được lớp phủ (Cr,Ti,Al) N với các tỷ lệ thành phần khác nhau [53]. Nó có những lợi thế rõ ràng trong việc chuẩn bị màng nhiều lớp và màng hỗn hợp. Nhược điểm của phương pháp này là có nhiều thông số điều chỉnh, tái chế đa mục tiêu dẫn đến thành phần lớp phủ không đồng đều và tỷ lệ cân bằng hóa học của các nguyên tố trong lớp phủ (Cr,Ti,Al)N không thể kiểm soát chính xác [54]. Bằng cách sử dụng lớp phủ bậc bốn lắng đọng mục tiêu hợp kim (Cr,Ti,Al) N, việc kiểm soát tham số tương đối đơn giản và tỷ lệ thành phần của lớp phủ thường gần với tỷ lệ thành phần của mục tiêu hợp kim được sử dụng [55], do đó dễ dàng đạt được hơn lớp phủ bậc bốn (Cr,Ti,Al)N có thành phần đồng nhất. Tuy nhiên, do hiệu suất phún xạ của từng nguyên tố cấu thành mục tiêu hợp kim trong quá trình phún xạ là khác nhau nên có vấn đề trong việc lựa chọn phún xạ của các nguyên tố khác nhau nên tỷ lệ thành phần của lớp phủ vẫn khác so với mục tiêu hợp kim [56] . Hiện nay, trong nghiên cứu chế tạo lớp phủ bậc bốn (Cr,Ti,Al)N bằng phương pháp phún xạ magnetron, mục tiêu hợp kim phổ biến hơn là mục tiêu AlTi và mục tiêu AlCr.

Công ty IKS PVD, máy phủ trang trí, máy phủ dụng cụ, máy phủ DLC, máy phủ quang học, dây chuyền sơn chân không PVD, dự án chìa khóa trao tay đều có sẵn. Hãy liên hệ với chúng tôi ngay bây giờ, E-mail: iks.pvd@foxmail.com